DRAM Process: 10 nm급 DRAM MEOL 공정 2/2 캐패시터 형성 [z36Kv0WPDhL]
10 nm급 DRAM 공정 시리즈 MEOL 두 번째 영상에서는 셀 캐패시터(Cell Capacitor) 형성 공정을 다룹니다. DRAM의 저장 능력과 데이터 유지 특성을 결정하는 핵심 구조인 캐패시터는, 미세화가 진행될수록 동일한 면적에서 충분한 정전용량을 확보하는 것이 가장 큰 과제가 됩니다. 이번 콘텐츠에서는 하이 애스펙트비 스토리지 노드 형성, 유전체(High-k) 증착, 플레이트 전극 형성까지 이어지는 공정을 중심으로, 10 nm급 DRAM에서 실제로 사용되는 3D 구조 캐패시터의 형성 원리와 공정 흐름을 설명합니다. DRAM의 집적도가 높아질수록 더욱 중요해지는 셀 캐패시터 구조와 공정 기술을 이해할 수 있는 영상입니다. #DRAM #DRAM공정 #반도체공정 #CellCapacitor #Semiconductor #MemoryTechnology #DRAMCell #CapacitorFormation #HighAspectRatio #HighKDielectric #SemiconductorEngineering #10nmDRAM #MemoryProcess #반도체교육