DRAM ETF -10.82%暴落｜3つの原因とテクニカル分析 shorts DRAM 半導体 テクニカル分析 [SdA6b9pIy56]
■概要欄 7月1日、DRAM ETFが-10.82%の大暴落。 マイクロン-10.57%、サンディスク-10.62%。DRAM セクター全体が急落。 なぜ暴落したのか？3つの原因をテクニカル分析で解説します。 ■ 暴落データ（2026年7月1日） ・DRAM ETF: -10.82% ・マイクロン（MU）: -10.57% ・サンディスク（WDC）: -10.62% ■ 暴落の3つの原因 ・年初来+240%の急騰 → RSI 95超の極端な過熱 ・中国のマイクロン独占禁止法調査（6/25） ・SKハイニックスIPO（7/10）前のポジション整理 ■ ファンダメンタルズ ・HBM（高帯域メモリ）需要: 前年比3倍の成長 ・DRAM価格: 四半期ベースで上昇継続 ■ テクニカル分析 ・サポートゾーン: $63〜67 ・200日移動平均: $60.77 ・RSI: 30割れ（売られすぎシグナル） ■ 注目カタリスト ・SKハイニックスIPO: 7月10日 ※本動画は情報提供目的であり投資助言ではありません。投資は自己責任でお願いします。 #DRAM #DRAM ETF #マイクロン #Micron #サンディスク #WDC #半導体 #メモリ半導体 #DRAM 暴落 #DRAM 急落 ＝＝＝ 当チャンネルで使用している画像はAI画像として作成したものです。